收藏本站
ZXMN3F30FH
Package outline - SOT23
E
e
b
3 leads
e1
L1
E1
A
D
A1
L
c
Dim.
Millimeters
Inches
Dim.
Millimeters
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
A
-
1.12
-
0.044
e1
1.90 NOM
0.075 NOM
A1
b
c
D
0.01
0.30
0.085
2.80
0.10
0.50
0.20
3.04
0.0004
0.012
0.003
0.110
0.004
0.020
0.008
0.120
E
E1
L
L1
2.10
1.20
0.25
0.45
2.64
1.40
0.60
0.62
0.083
0.047
0.0098
0.018
0.104
0.055
0.0236
0.024
e
0.95 NOM
0.037 NOM
-
-
-
-
-
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Issue 2 - February 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
7
www.zetex.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXMN3F31DN8TA MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
ZXMN3G32DN8TA MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
ZXMN4A06GTA MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
ZXMN4A06KTC MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK
ZXMN6A07FTC MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3
ZXMN6A07ZTA MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
ZXMN6A08E6TC MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
ZXMN6A08GTA MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
相关代理商/技术参数
ZXMN3F318DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F318DN8TA 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F31DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3G32DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN4A06G 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN4A06GTA 功能描述:MOSFET 40V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube